WM02P40ME Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WM02P40ME
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.08 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM02P40ME
WM02P40ME Datasheet (PDF)
wm02p40me.pdf

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR
wm02p40m3.pdf

Document:W0803119, Rev: B WM02P40M3 M P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -4.0 A DS DR
wm02p41m.pdf

WM02P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -4.1A DS DR
wm02p23m.pdf

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR
Другие MOSFET... WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , 4N60 , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A .
History: L2N7002KDW1T1G | GC11N65F | SSPL6040D | VS3620GA | DMN80H2D0SCTI
History: L2N7002KDW1T1G | GC11N65F | SSPL6040D | VS3620GA | DMN80H2D0SCTI



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor