Справочник MOSFET. WM02P40ME

 

WM02P40ME Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P40ME
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.08 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM02P40ME

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P40ME Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P40ME

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

 6.1. Size:381K  way-on
wm02p40m3.pdfpdf_icon

WM02P40ME

Document:W0803119, Rev: B WM02P40M3 M P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -4.0 A DS DR

 8.1. Size:535K  way-on
wm02p41m.pdfpdf_icon

WM02P40ME

WM02P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -4.1A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P40ME

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

Другие MOSFET... WM02P06L , WM02P160R , WM02P18F , WM02P20G , WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , 4N60 , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A .

History: 2SK4069-S27-AY

 

 
Back to Top

 


 
.