Справочник MOSFET. WM02P40ME

 

WM02P40ME Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P40ME
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.08 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P40ME Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P40ME

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

 6.1. Size:381K  way-on
wm02p40m3.pdfpdf_icon

WM02P40ME

Document:W0803119, Rev: B WM02P40M3 M P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -4.0 A DS DR

 8.1. Size:535K  way-on
wm02p41m.pdfpdf_icon

WM02P40ME

WM02P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -4.1A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P40ME

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MMBFJ175 | NCE60T2K2I | 2SK3572-Z | NVATS68301PZ | 2N6784SM | AP50T10GH-HF | FK10KM-12

 

 
Back to Top

 


 
.