WM02P60M2 Todos los transistores

 

WM02P60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM02P60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 303 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WM02P60M2 datasheet

 ..1. Size:355K  way-on
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WM02P60M2

Document W0803226, Rev B WM02P60M2 2 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -6A DS D R

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdf pdf_icon

WM02P60M2

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS D R

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdf pdf_icon

WM02P60M2

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS D R

 9.3. Size:364K  way-on
wm02p06f.pdf pdf_icon

WM02P60M2

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS D S R

Otros transistores... WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , AON6380 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L .

History: ZXMN6A25K | 2N65KG-TMS-T | SI7113ADN | MTP1N100 | SI4966DY | MTB095N10KRL3 | NTMD4884NF

 

 

 

 

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