Справочник MOSFET. WM02P60M2

 

WM02P60M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 303 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  way-on
wm02p60m2.pdfpdf_icon

WM02P60M2

Document:W0803226, Rev: B WM02P60M2 2 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -6A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P60M2

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P60M2

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

 9.3. Size:364K  way-on
wm02p06f.pdfpdf_icon

WM02P60M2

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DSR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N5912 | LR024N | FTK4828F | NTP2955 | FDT459N | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.