Справочник MOSFET. WM02P60M2

 

WM02P60M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM02P60M2
   Маркировка: 1216
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 303 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM02P60M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM02P60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  way-on
wm02p60m2.pdfpdf_icon

WM02P60M2

Document:W0803226, Rev: B WM02P60M2 2 P-Channel MOSFET Features V = -20 V, I = -6A DS DR

 9.1. Size:474K  way-on
wm02p23m.pdfpdf_icon

WM02P60M2

WM02P23M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20 V, I = -2.3 A DS DR

 9.2. Size:831K  way-on
wm02p40me.pdfpdf_icon

WM02P60M2

WM02P40ME P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -20V, I = -4A DS DR

 9.3. Size:364K  way-on
wm02p06f.pdfpdf_icon

WM02P60M2

WM02P06F P-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = -20 V, I = -0.66 A DS DSR

Другие MOSFET... WM02P23M , WM02P26M , WM02P30ME , WM02P40M3 , WM02P40ME , WM02P41M , WM02P56M2 , WM02P56M3 , IRLZ44N , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L .

History: 2SK3822B

 

 
Back to Top

 


 
.