WM03N01G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM03N01G
   Código: KN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM03N01G

WM03N01G Datasheet (PDF)

..1. Size:2401K way-on
wm03n01g.pdf

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

7.1. Size:351K way-on
wm03n01l.pdf

Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

7.2. Size:466K way-on
wm03n01h.pdf

WM03N01H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.1A DS DR

8.1. Size:466K way-on
wm03n06m.pdf

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

8.2. Size:810K way-on
wm03n09f.pdf

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR

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Liste

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