WM03N01G Todos los transistores

 

WM03N01G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM03N01G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT323

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WM03N01G datasheet

 ..1. Size:2401K  way-on
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WM03N01G

Document W0803083, Rev D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R

 7.1. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf pdf_icon

WM03N01G

Document W0803102, Rev C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R

 7.2. Size:466K  way-on
 wm03n01h.pdf pdf_icon

WM03N01G

WM03N01H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.1A DS D R

 8.1. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N01G

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS D R

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History: MEM2302M3 | AP85T10GP | IRL520NP | STD75N3LLH6 | WMQ30N03T2 | RCX081N20 | P0160AI

 

 

 

 

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