Справочник MOSFET. WM03N01G

 

WM03N01G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03N01G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для WM03N01G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N01G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N01G

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 7.1. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf pdf_icon

WM03N01G

Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 7.2. Size:466K  way-on
 wm03n01h.pdf pdf_icon

WM03N01G

WM03N01H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.1A DS DR

 8.1. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N01G

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM02P56M2 , WM02P56M3 , WM02P60M2 , WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , IRF1407 , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M .

History: AP3310GH-HF | STS5PF30L | CJD04N60A | FKP252 | MTP4N85 | IPD60R210CFD7 | OSG65R200FT3F

 

 
Back to Top

 


 
.