Справочник MOSFET. WM03N01G

 

WM03N01G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM03N01G
   Маркировка: KN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 35 ns
   Выходная емкость (Cd): 7.7 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для WM03N01G

 

 

WM03N01G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf

WM03N01G WM03N01G

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 7.1. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf

WM03N01G WM03N01G

Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 7.2. Size:466K  way-on
 wm03n01h.pdf

WM03N01G WM03N01G

WM03N01H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.1A DS DR

 8.1. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf

WM03N01G WM03N01G

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 8.2. Size:810K  way-on
 wm03n09f.pdf

WM03N01G WM03N01G

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top