WM03N06M Todos los transistores

 

WM03N06M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03N06M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM03N06M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N06M

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 8.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N06M

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 8.2. Size:810K  way-on
 wm03n09f.pdf pdf_icon

WM03N06M

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR

 8.3. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf pdf_icon

WM03N06M

Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

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History: 2N7272H4 | MTP20N20E | MTNK7S3 | FDMC86248 | STD5407N | TK65G10N1 | HFP8N70U

 

 
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