WM03N06M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WM03N06M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM03N06M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WM03N06M даташит
wm03n06m.pdf
WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS D R
wm03n01g.pdf
Document W0803083, Rev D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R
wm03n09f.pdf
WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS D R
wm03n01l.pdf
Document W0803102, Rev C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R
Другие MOSFET... WM03DH34M3 , WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , BS170 , WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R .
History: ME4565A | H10N60F | 2SK1677 | GM7002 | NCEP6080AG | MTP12N10E | ME4454
History: ME4565A | H10N60F | 2SK1677 | GM7002 | NCEP6080AG | MTP12N10E | ME4454
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115