WM03N09F Todos los transistores

 

WM03N09F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03N09F
   Código: N5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.715 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.93 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
 

 Búsqueda de reemplazo de WM03N09F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WM03N09F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  way-on
 wm03n09f.pdf pdf_icon

WM03N09F

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR

 8.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N09F

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 8.2. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N09F

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 8.3. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf pdf_icon

WM03N09F

Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , 10N65 , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M .

History: SSW80R240SFD | 2SK1211-01

 

 
Back to Top

 


 
.