WM03N09F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM03N09F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.715 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.93 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Encapsulados: DFN1006-3
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WM03N09F datasheet
wm03n09f.pdf
WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS D R
wm03n01g.pdf
Document W0803083, Rev D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R
wm03n06m.pdf
WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS D R
wm03n01l.pdf
Document W0803102, Rev C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R
Otros transistores... WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , 4N60 , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M .
History: APM7314
History: APM7314
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