Справочник MOSFET. WM03N09F

 

WM03N09F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM03N09F
   Маркировка: N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.715 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.93 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L

 Аналог (замена) для WM03N09F

 

 

WM03N09F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  way-on
 wm03n09f.pdf

WM03N09F WM03N09F

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR

 8.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf

WM03N09F WM03N09F

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 8.2. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf

WM03N09F WM03N09F

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 8.3. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf

WM03N09F WM03N09F

Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 8.4. Size:466K  way-on
 wm03n01h.pdf

WM03N09F WM03N09F

WM03N01H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.1A DS DR

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top