Справочник MOSFET. WM03N09F

 

WM03N09F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03N09F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.715 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.93 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN1006-3L
 

 Аналог (замена) для WM03N09F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N09F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:810K  way-on
 wm03n09f.pdf pdf_icon

WM03N09F

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR

 8.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N09F

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 8.2. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N09F

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 8.3. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf pdf_icon

WM03N09F

Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , 10N65 , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M .

History: 6N10 | IAUA120N04S5N014

 

 
Back to Top

 


 
.