WM03N09F - описание и поиск аналогов

 

WM03N09F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM03N09F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.715 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.93 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для WM03N09F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N09F даташит

 ..1. Size:810K  way-on
 wm03n09f.pdf pdf_icon

WM03N09F

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS D R

 8.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N09F

Document W0803083, Rev D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R

 8.2. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N09F

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS D R

 8.3. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf pdf_icon

WM03N09F

Document W0803102, Rev C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03DH60A , WM03DN06D , WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , 4N60 , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M .

History: TK6B60D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.