WM03N32M Todos los transistores

 

WM03N32M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03N32M
   Código: S6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM03N32M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:503K  way-on
 wm03n32m.pdf pdf_icon

WM03N32M

WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS DR

 9.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N32M

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 9.2. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N32M

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

 9.3. Size:810K  way-on
 wm03n09f.pdf pdf_icon

WM03N32M

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR

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History: VBMB16R02 | BSC079N10NSG | VBFB16R04

 

 
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