WM03N32M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM03N32M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM03N32M
WM03N32M Datasheet (PDF)
wm03n32m.pdf

WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS DR
wm03n01g.pdf

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR
wm03n06m.pdf

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR
wm03n09f.pdf

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR
Другие MOSFET... WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A , RFP50N06 , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 .
History: NTD4865N-1G | 50N06G-TQ2-R
History: NTD4865N-1G | 50N06G-TQ2-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet