WM03N32M - описание и поиск аналогов

 

WM03N32M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM03N32M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM03N32M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N32M даташит

 ..1. Size:503K  way-on
wm03n32m.pdfpdf_icon

WM03N32M

WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS D R

 9.1. Size:2401K  way-on
wm03n01g.pdfpdf_icon

WM03N32M

Document W0803083, Rev D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R

 9.2. Size:466K  way-on
wm03n06m.pdfpdf_icon

WM03N32M

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS D R

 9.3. Size:810K  way-on
wm03n09f.pdfpdf_icon

WM03N32M

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS D R

Другие MOSFET... WM03DN85A , WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A , IRF1407 , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 .

History: KHB1D9N60D | AP3989R | IRLML6402GPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.