WM03N57M Todos los transistores

 

WM03N57M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03N57M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WM03N57M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  way-on
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WM03N57M

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR

 8.1. Size:480K  way-on
 wm03n58m.pdf pdf_icon

WM03N57M

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 8.2. Size:535K  way-on
 wm03n58m2.pdf pdf_icon

WM03N57M

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 9.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N57M

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

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History: AONS32310 | JCS18N25VC | AP2608AGY-HF | CS3N100F | WM03DP50A | 2SK3466 | AP2331GN-HF

 

 
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