WM03N57M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM03N57M
   Código: R4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 9.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 1.3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM03N57M

WM03N57M Datasheet (PDF)

..1. Size:467K way-on
wm03n57m.pdf

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR

8.1. Size:480K way-on
wm03n58m.pdf

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

8.2. Size:535K way-on
wm03n58m2.pdf

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

9.1. Size:2401K way-on
wm03n01g.pdf

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

9.2. Size:503K way-on
wm03n32m.pdf

WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS DR

9.3. Size:466K way-on
wm03n06m.pdf

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

9.4. Size:810K way-on
wm03n09f.pdf

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR

9.5. Size:829K way-on
wm03n86m2.pdf

WM03N86M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 8.6A DS DR

9.6. Size:769K way-on
wm03n115a.pdf

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03N115A uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = 30V, I = 11.5A DS DSOP-8LR

9.7. Size:351K way-on
wm03n01l.pdf