WM03N57M - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

WM03N57M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: WM03N57M
   Маркировка: R4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM03N57M

WM03N57M Datasheet (PDF)

..1. Size:467K way-on
wm03n57m.pdf

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR

8.1. Size:480K way-on
wm03n58m.pdf

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

8.2. Size:535K way-on
wm03n58m2.pdf

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

9.1. Size:2401K way-on
wm03n01g.pdf

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

9.2. Size:503K way-on
wm03n32m.pdf

WM03N32M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 3.2A DS DR

9.3. Size:466K way-on
wm03n06m.pdf

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

9.4. Size:810K way-on
wm03n09f.pdf

WM03N09F N-Channel Enhancement MOSFET Features G Way-on Small Signal MOSFETs D V = 30V, I = 0.93A DS DR

9.5. Size:829K way-on
wm03n86m2.pdf

WM03N86M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 8.6A DS DR

9.6. Size:769K way-on
wm03n115a.pdf

WM03N115A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03N115A uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = 30V, I = 11.5A DS DSOP-8LR

9.7. Size:351K way-on
wm03n01l.pdf