Справочник MOSFET. WM03N57M

 

WM03N57M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03N57M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM03N57M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N57M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  way-on
 wm03n57m.pdf pdf_icon

WM03N57M

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR

 8.1. Size:480K  way-on
 wm03n58m.pdf pdf_icon

WM03N57M

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 8.2. Size:535K  way-on
 wm03n58m2.pdf pdf_icon

WM03N57M

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 9.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N57M

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03DP50A , WM03N01G , WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , 5N65 , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M .

History: HM3305D | PJA94N03 | HGB210N20S | UPA2766T1A | CEP840G | SDF10N100JEA | PSMN2R2-40PS

 

 
Back to Top

 


 
.