WM03N58M2 Todos los transistores

 

WM03N58M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03N58M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WM03N58M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  way-on
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WM03N58M2

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 6.1. Size:480K  way-on
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WM03N58M2

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 8.1. Size:467K  way-on
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WM03N58M2

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR

 9.1. Size:2401K  way-on
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WM03N58M2

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

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History: 2SK2939 | APM7316 | UPA2816T1S | BUK762R4-60E | MDU1514URH | AP9923GEO-HF | IXTA300N04T2-7

 

 
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