Справочник MOSFET. WM03N58M2

 

WM03N58M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03N58M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N58M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  way-on
 wm03n58m2.pdf pdf_icon

WM03N58M2

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 6.1. Size:480K  way-on
 wm03n58m.pdf pdf_icon

WM03N58M2

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 8.1. Size:467K  way-on
 wm03n57m.pdf pdf_icon

WM03N58M2

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR

 9.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N58M2

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.