WM03N58M2 - описание и поиск аналогов

 

WM03N58M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM03N58M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM03N58M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N58M2 даташит

 ..1. Size:535K  way-on
 wm03n58m2.pdf pdf_icon

WM03N58M2

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS D R

 6.1. Size:480K  way-on
 wm03n58m.pdf pdf_icon

WM03N58M2

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS D R

 8.1. Size:467K  way-on
 wm03n57m.pdf pdf_icon

WM03N58M2

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS D R

 9.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N58M2

Document W0803083, Rev D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , 5N60 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A .

History: TK35A65W5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.