Справочник MOSFET. WM03N58M2

 

WM03N58M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03N58M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM03N58M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03N58M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  way-on
 wm03n58m2.pdf pdf_icon

WM03N58M2

WM03N58M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 6.1. Size:480K  way-on
 wm03n58m.pdf pdf_icon

WM03N58M2

WM03N58M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 5.8A DS DR

 8.1. Size:467K  way-on
 wm03n57m.pdf pdf_icon

WM03N58M2

WM03N57M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30 V, I = 5.8 A DS DR

 9.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N58M2

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03N01H , WM03N01L , WM03N06M , WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , 13N50 , WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A .

History: BLM08P02-E | SQJ910AEP | 2SK3511-S | IRFH5304PBF | IRF2805S | PJS6832 | 2SK3510-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.