WM03P115R Todos los transistores

 

WM03P115R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM03P115R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 176 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6L

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WM03P115R datasheet

 ..1. Size:618K  way-on
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WM03P115R

WM03P115R 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D Description S D S D S D D WM03P115R uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V = -30V, I = -11.5A DS D R

 9.1. Size:538K  way-on
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WM03P115R

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R

 9.2. Size:561K  way-on
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WM03P115R

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R

 9.3. Size:751K  way-on
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WM03P115R

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History: SE7401U | AP80WN2K5I | 2SJ324-Z | R6504KNX | AO4842-MS | LSE65R099GF | 2SJ297L

 

 

 

 

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