WM03P27M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM03P27M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
Encapsulados: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WM03P27M MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
WM03P27M datasheet
wm03p27m.pdf
WM03P27M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30V, I = -2.7A DS D R
wm03p41m2.pdf
WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R
wm03p41m.pdf
WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R
Otros transistores... WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , AO3407 , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A .
History: SE80130GA | NTMD5838NL | S68N08ZRN | MTEF1P15AV8 | TPCP8202 | AO3401MI-MS | SE30150
History: SE80130GA | NTMD5838NL | S68N08ZRN | MTEF1P15AV8 | TPCP8202 | AO3401MI-MS | SE30150
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor
