Справочник MOSFET. WM03P27M

 

WM03P27M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03P27M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM03P27M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03P27M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  way-on
 wm03p27m.pdf pdf_icon

WM03P27M

WM03P27M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30V, I = -2.7A DS DR

 9.1. Size:538K  way-on
 wm03p41m2.pdf pdf_icon

WM03P27M

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.2. Size:561K  way-on
 wm03p41m.pdf pdf_icon

WM03P27M

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.3. Size:751K  way-on
 wm03p91a.pdf pdf_icon

WM03P27M

WM03P91A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DDDWM03P91A uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Smaintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -30V, I = -9.1A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03N09F , WM03N115A , WM03N32M , WM03N57M , WM03N58M , WM03N58M2 , WM03N86M2 , WM03P115R , 7N60 , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A .

History: AFN1072 | SVS11N65SD2 | HY3506P | SWP17N80K | RFP12P10 | VBQG7322 | SE4942B

 

 
Back to Top

 


 
.