WM03P56M2 Todos los transistores

 

WM03P56M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM03P56M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WM03P56M2 datasheet

 ..1. Size:519K  way-on
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WM03P56M2

WM03P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30 V, I = -5.6A DS D R

 8.1. Size:966K  way-on
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WM03P56M2

WM03P51A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WM03P51A uses advanced power trench technology that has been D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S S Features S G V = -30V, I = -5.1A DS D SOP-8L R

 9.1. Size:538K  way-on
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WM03P56M2

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R

 9.2. Size:561K  way-on
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WM03P56M2

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R

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