WM03P56M2 Todos los transistores

 

WM03P56M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03P56M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WM03P56M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  way-on
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WM03P56M2

WM03P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30 V, I = -5.6A DS DR

 8.1. Size:966K  way-on
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WM03P56M2

WM03P51A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03P51A uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = -30V, I = -5.1A DS DSOP-8LR

 9.1. Size:538K  way-on
 wm03p41m2.pdf pdf_icon

WM03P56M2

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.2. Size:561K  way-on
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WM03P56M2

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

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History: SM8008NSU | VP2206N2 | AOT2502L | IPP052N06L3 | SRT10N230HD56 | IRF7799L2 | AP2P028EM

 

 
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