WM03P56M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WM03P56M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM03P56M2
WM03P56M2 Datasheet (PDF)
wm03p56m2.pdf

WM03P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30 V, I = -5.6A DS DR
wm03p51a.pdf

WM03P51A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03P51A uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = -30V, I = -5.1A DS DSOP-8LR
wm03p41m2.pdf

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR
wm03p41m.pdf

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR
Другие MOSFET... WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , AON6380 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M .
History: NCE55P05S | ZVN3306ASTOB
History: NCE55P05S | ZVN3306ASTOB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet