WM03P56M2 - аналоги и даташиты транзистора

 

WM03P56M2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WM03P56M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM03P56M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03P56M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  way-on
 wm03p56m2.pdf pdf_icon

WM03P56M2

WM03P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30 V, I = -5.6A DS DR

 8.1. Size:966K  way-on
 wm03p51a.pdf pdf_icon

WM03P56M2

WM03P51A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03P51A uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = -30V, I = -5.1A DS DSOP-8LR

 9.1. Size:538K  way-on
 wm03p41m2.pdf pdf_icon

WM03P56M2

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.2. Size:561K  way-on
 wm03p41m.pdf pdf_icon

WM03P56M2

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03N86M2 , WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , AON6380 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M .

History: IRFI740G | L75N75 | SPB80N03S2-03 | JMSH2010PTL | WM05P01M | FTP22N06B | CTP06N6P8

 

 
Back to Top

 


 
.