Справочник MOSFET. WM03P56M2

 

WM03P56M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03P56M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03P56M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  way-on
wm03p56m2.pdfpdf_icon

WM03P56M2

WM03P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -30 V, I = -5.6A DS DR

 8.1. Size:966K  way-on
wm03p51a.pdfpdf_icon

WM03P56M2

WM03P51A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDWM03P51A uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Dmaintain superior switching performance. S SFeatures SG V = -30V, I = -5.1A DS DSOP-8LR

 9.1. Size:538K  way-on
wm03p41m2.pdfpdf_icon

WM03P56M2

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.2. Size:561K  way-on
wm03p41m.pdfpdf_icon

WM03P56M2

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGA058N08SL | AP2306CGN-HF | NP88N075KUE | FRS440D | TSM9966DCX6 | SML801R4BN | IXTT75N10

 

 
Back to Top

 


 
.