WM03P60M2 Todos los transistores

 

WM03P60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03P60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WM03P60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  way-on
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WM03P60M2

WM03P60M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30V, I = -6A DS DR

 9.1. Size:538K  way-on
 wm03p41m2.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.2. Size:561K  way-on
 wm03p41m.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.3. Size:751K  way-on
 wm03p91a.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P91A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DDDWM03P91A uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Smaintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -30V, I = -9.1A DS DR

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History: IPD048N06L3 | CS3N50DF | UPA2353

 

 
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