WM03P60M2 - описание и поиск аналогов

 

WM03P60M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM03P60M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM03P60M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03P60M2 даташит

 ..1. Size:596K  way-on
wm03p60m2.pdfpdf_icon

WM03P60M2

 9.1. Size:538K  way-on
wm03p41m2.pdfpdf_icon

WM03P60M2

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R

 9.2. Size:561K  way-on
wm03p41m.pdfpdf_icon

WM03P60M2

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R

 9.3. Size:751K  way-on
wm03p91a.pdfpdf_icon

WM03P60M2

Другие MOSFET... WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 , 2N60 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M .

History: LSE65R650HT | SE4610 | STP652F | C2M090W070

 

 

 

 

↑ Back to Top
.