Справочник MOSFET. WM03P60M2

 

WM03P60M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03P60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM03P60M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03P60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  way-on
 wm03p60m2.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P60M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30V, I = -6A DS DR

 9.1. Size:538K  way-on
 wm03p41m2.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.2. Size:561K  way-on
 wm03p41m.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.3. Size:751K  way-on
 wm03p91a.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P91A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DDDWM03P91A uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Smaintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -30V, I = -9.1A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM03P115R , WM03P27M , WM03P41M , WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 , IRF830 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M .

History: PSMN015-110P | FDMS7656AS | STB9NK50ZT4

 

 
Back to Top

 


 
.