Справочник MOSFET. WM03P60M2

 

WM03P60M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM03P60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM03P60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  way-on
 wm03p60m2.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P60M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30V, I = -6A DS DR

 9.1. Size:538K  way-on
 wm03p41m2.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.2. Size:561K  way-on
 wm03p41m.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 9.3. Size:751K  way-on
 wm03p91a.pdf pdf_icon

WM03P60M2

WM03P91A 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DDDWM03P91A uses advanced power trench technology that has been Despecially tailored to minimize the on-state resistance and yet Smaintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -30V, I = -9.1A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.