WM04P50M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM04P50M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WM04P50M MOSFET
WM04P50M Datasheet (PDF)
wm04p50m.pdf
WM04P50M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -40 V, I = -5 A DS DR
wm04p56m2.pdf
WM04P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -40V, I = -5.6A DS DR
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History: TK19A45D | IRFPE50 | 2SK2027-01 | VBZM60N06 | NTDV20N06 | CS12N65FF
History: TK19A45D | IRFPE50 | 2SK2027-01 | VBZM60N06 | NTDV20N06 | CS12N65FF
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