WM04P50M Todos los transistores

 

WM04P50M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM04P50M
   Código: 450
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 11.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 6.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM04P50M

 

WM04P50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  way-on
wm04p50m.pdf

WM04P50M WM04P50M

WM04P50M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -40 V, I = -5 A DS DR

 8.1. Size:538K  way-on
wm04p56m2.pdf

WM04P50M WM04P50M

WM04P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -40V, I = -5.6A DS DR

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


WM04P50M
  WM04P50M
  WM04P50M
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C

 

 

 
Back to Top