Справочник MOSFET. WM04P50M

 

WM04P50M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM04P50M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM04P50M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM04P50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  way-on
wm04p50m.pdfpdf_icon

WM04P50M

WM04P50M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -40 V, I = -5 A DS DR

 8.1. Size:538K  way-on
wm04p56m2.pdfpdf_icon

WM04P50M

WM04P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -40V, I = -5.6A DS DR

Другие MOSFET... WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , IRF520 , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F .

History: WM05N02G

 

 
Back to Top

 


 
.