Справочник MOSFET. WM04P50M

 

WM04P50M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM04P50M
   Маркировка: 450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11.8 nC
   Время нарастания (tr): 6.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 50 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для WM04P50M

 

 

WM04P50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  way-on
wm04p50m.pdf

WM04P50M WM04P50M

WM04P50M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -40 V, I = -5 A DS DR

 8.1. Size:538K  way-on
wm04p56m2.pdf

WM04P50M WM04P50M

WM04P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -40V, I = -5.6A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top