WM04P50M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WM04P50M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM04P50M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WM04P50M даташит
wm04p50m.pdf
WM04P50M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -40 V, I = -5 A DS D R
wm04p56m2.pdf
WM04P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -40V, I = -5.6A DS D R
Другие MOSFET... WM03P41M2 , WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , 75N75 , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F .
History: C2M065W060 | AP70SL950AI
History: C2M065W060 | AP70SL950AI
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor