WM04P56M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM04P56M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WM04P56M2 MOSFET
WM04P56M2 Datasheet (PDF)
wm04p56m2.pdf
WM04P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -40V, I = -5.6A DS DR
wm04p50m.pdf
WM04P50M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -40 V, I = -5 A DS DR
Otros transistores... WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , P60NF06 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G .
History: SVF10N65CFJ | 2SK960 | 2SK3612-01S | 2SK3595-01MR | NVATS5A113PLZ | DMN6068SE | MMP60R290PTH
History: SVF10N65CFJ | 2SK960 | 2SK3612-01S | 2SK3595-01MR | NVATS5A113PLZ | DMN6068SE | MMP60R290PTH
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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