Справочник MOSFET. WM04P56M2

 

WM04P56M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM04P56M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM04P56M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM04P56M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  way-on
wm04p56m2.pdfpdf_icon

WM04P56M2

WM04P56M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -40V, I = -5.6A DS DR

 8.1. Size:532K  way-on
wm04p50m.pdfpdf_icon

WM04P56M2

WM04P50M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs V = -40 V, I = -5 A DS DR

Другие MOSFET... WM03P42M , WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , RU6888R , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G .

 

 
Back to Top

 


 
.