WM05DP01D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM05DP01D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT363
Búsqueda de reemplazo de WM05DP01D MOSFET
WM05DP01D Datasheet (PDF)
wm05dp01d.pdf
WM05DP01DD Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs D1 V = -50V, I = -0.13A DS DR
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History: IPA045N10N3G | AOWF12N60 | AOW292
History: IPA045N10N3G | AOWF12N60 | AOW292
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