WM05DP01D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM05DP01D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Encapsulados: SOT363
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WM05DP01D datasheet
wm05dp01d.pdf
WM05DP01DD Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs D1 V = -50V, I = -0.13A DS D R
Otros transistores... WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , IRFB31N20D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M .
History: IRFU214B
History: IRFU214B
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