WM05DP01D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WM05DP01D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для WM05DP01D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WM05DP01D даташит
wm05dp01d.pdf
WM05DP01DD Dual P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Single MOSFETs D1 V = -50V, I = -0.13A DS D R
Другие MOSFET... WM03P42M2 , WM03P51A , WM03P56M2 , WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , IRFB31N20D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775