WM05N03M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM05N03M
Código: SSE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM05N03M
WM05N03M Datasheet (PDF)
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WM05N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.3A DS DR
wm05n02m.pdf
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WM05N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.2A DS DR
wm05n02g.pdf
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WM05N02G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.22A DS DR
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
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