WM05N03M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM05N03M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM05N03M
WM05N03M Datasheet (PDF)
wm05n03m.pdf
WM05N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.3A DS DR
wm05n02m.pdf
WM05N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.2A DS DR
wm05n02g.pdf
WM05N02G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.22A DS DR
Другие MOSFET... WM03P60M2 , WM03P91A , WM04N50M , WM04P50M , WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , MMIS60R580P , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB .
History: HUFA75307D3S | FTP22N06B | L75N75 | JMSH2010PTL | G5N50T | SPB80N03S2-03 | CTP06N6P8
History: HUFA75307D3S | FTP22N06B | L75N75 | JMSH2010PTL | G5N50T | SPB80N03S2-03 | CTP06N6P8
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent