WM05P02G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM05P02G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 0.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: SOT323
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WM05P02G datasheet
wm05p02g.pdf
WM05P02G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS D R
wm05p02m.pdf
WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS D R
wm05p02f.pdf
Document W0803414, Rev A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS D G R
wm05p01m.pdf
WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS D R
Otros transistores... WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , IRLB3034 , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE .
History: R6520KNZ1 | IXFH12N90P | IRFU024 | NTMFS4934N | AP70SL1K4BH
History: R6520KNZ1 | IXFH12N90P | IRFU024 | NTMFS4934N | AP70SL1K4BH
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