WM05P02G - описание и поиск аналогов

 

WM05P02G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM05P02G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 0.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для WM05P02G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM05P02G даташит

 ..1. Size:617K  way-on
 wm05p02g.pdf pdf_icon

WM05P02G

WM05P02G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS D R

 7.1. Size:831K  way-on
 wm05p02m.pdf pdf_icon

WM05P02G

WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS D R

 7.2. Size:335K  way-on
 wm05p02f.pdf pdf_icon

WM05P02G

Document W0803414, Rev A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS D G R

 8.1. Size:487K  way-on
 wm05p01m.pdf pdf_icon

WM05P02G

WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , IRLB3034 , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.