WM05P02G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM05P02G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 0.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для WM05P02G
WM05P02G Datasheet (PDF)
wm05p02g.pdf
WM05P02G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR
wm05p02m.pdf
WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR
wm05p02f.pdf
Document: W0803414, Rev: A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS DGR
wm05p01m.pdf
WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR
Другие MOSFET... WM04P56M2 , WM05DP01D , WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , IRLB3034 , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE .
History: WW459 | PSMN017-30BL | MTH5N100
History: WW459 | PSMN017-30BL | MTH5N100
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor






