WM05P20M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM05P20M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WM05P20M MOSFET
WM05P20M Datasheet (PDF)
wm05p20m.pdf

WM05P20M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50 V, I = -2A DS DR
wm05p02m.pdf

WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR
wm05p02f.pdf

Document: W0803414, Rev: A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS DGR
wm05p01m.pdf

WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR
Otros transistores... WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , 8N60 , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M .
History: WMC1N40D1 | CS3N90A8 | JFFM10N60C
History: WMC1N40D1 | CS3N90A8 | JFFM10N60C



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MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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