WM05P20M Todos los transistores

 

WM05P20M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM05P20M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WM05P20M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  way-on
 wm05p20m.pdf pdf_icon

WM05P20M

WM05P20M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50 V, I = -2A DS DR

 9.1. Size:831K  way-on
 wm05p02m.pdf pdf_icon

WM05P20M

WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR

 9.2. Size:335K  way-on
 wm05p02f.pdf pdf_icon

WM05P20M

Document: W0803414, Rev: A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS DGR

 9.3. Size:487K  way-on
 wm05p01m.pdf pdf_icon

WM05P20M

WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR

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History: SSM9575 | ZVN0124ASTOA | 2SK2080-01R | FCH47N60N

 

 
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