WM05P20M Todos los transistores

 

WM05P20M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM05P20M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WM05P20M datasheet

 ..1. Size:521K  way-on
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WM05P20M

WM05P20M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50 V, I = -2A DS D R

 9.1. Size:831K  way-on
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WM05P20M

WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS D R

 9.2. Size:335K  way-on
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WM05P20M

Document W0803414, Rev A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS D G R

 9.3. Size:487K  way-on
 wm05p01m.pdf pdf_icon

WM05P20M

WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS D R

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