WM05P20M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM05P20M
Código: 0520'
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 50 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Tiempo de subida (tr): 46 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 35 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM05P20M
WM05P20M Datasheet (PDF)
wm05p20m.pdf
WM05P20M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50 V, I = -2A DS DR
wm05p02m.pdf
WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR
wm05p02f.pdf
Document: W0803414, Rev: A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS DGR
wm05p01m.pdf
WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR
wm05p02g.pdf
WM05P02G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS DR
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WM05P01G P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS DR
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