WM05P20M - описание и поиск аналогов

 

WM05P20M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM05P20M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM05P20M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM05P20M даташит

 ..1. Size:521K  way-on
wm05p20m.pdfpdf_icon

WM05P20M

WM05P20M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50 V, I = -2A DS D R

 9.1. Size:831K  way-on
wm05p02m.pdfpdf_icon

WM05P20M

WM05P02M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.2A DS D R

 9.2. Size:335K  way-on
wm05p02f.pdfpdf_icon

WM05P20M

Document W0803414, Rev A WM05P02F 1 P-Channel MOSFET Features V = -50V, I = -0.25A DS D G R

 9.3. Size:487K  way-on
wm05p01m.pdfpdf_icon

WM05P20M

WM05P01M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -50V, I = -0.13A DS D R

Другие MOSFET... WM05N02G , WM05N02M , WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , IRFB7545 , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M .

History: CS10N80P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.