WM06N03GE Todos los transistores

 

WM06N03GE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM06N03GE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM06N03GE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:882K  way-on
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WM06N03GE

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.1. Size:889K  way-on
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WM06N03GE

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.2. Size:824K  way-on
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WM06N03GE

WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.3. Size:462K  way-on
 wm06n03fb.pdf pdf_icon

WM06N03GE

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR

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History: FDPF16N50 | VBQA1405 | HRP72N06K | IRF7316QPBF | WMO60P02TS | CS3R50FA9 | BSN20

 

 
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