WM06N03GE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM06N03GE
Código: 72K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.34 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 0.61 nC
Tiempo de subida (tr): 2.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5.6 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM06N03GE
WM06N03GE Datasheet (PDF)
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WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
wm06n03le.pdf
WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
wm06n03m.pdf
WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
wm06n03fb.pdf
WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR
wm06n03fe.pdf
WM06N03FE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A GDS DR
wm06n03he.pdf
WM06N03HE N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR
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