WM06N03GE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM06N03GE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: SOT323
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WM06N03GE datasheet
wm06n03ge.pdf
WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R
wm06n03le.pdf
WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R
wm06n03m.pdf
WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R
wm06n03fb.pdf
WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS D D R
Otros transistores... WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , RU7088R , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M .
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