Справочник MOSFET. WM06N03GE

 

WM06N03GE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM06N03GE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для WM06N03GE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM06N03GE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:882K  way-on
 wm06n03ge.pdf pdf_icon

WM06N03GE

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.1. Size:889K  way-on
 wm06n03le.pdf pdf_icon

WM06N03GE

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.2. Size:824K  way-on
 wm06n03m.pdf pdf_icon

WM06N03GE

WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.3. Size:462K  way-on
 wm06n03fb.pdf pdf_icon

WM06N03GE

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , MMD60R360PRH , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M .

History: APT1201R2SLL | FCMT250N65S3

 

 
Back to Top

 


 
.