Справочник MOSFET. WM06N03GE

 

WM06N03GE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WM06N03GE
   Маркировка: 72K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.61 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для WM06N03GE

 

 

WM06N03GE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:882K  way-on
 wm06n03ge.pdf

WM06N03GE WM06N03GE

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.1. Size:889K  way-on
 wm06n03le.pdf

WM06N03GE WM06N03GE

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.2. Size:824K  way-on
 wm06n03m.pdf

WM06N03GE WM06N03GE

WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.3. Size:462K  way-on
 wm06n03fb.pdf

WM06N03GE WM06N03GE

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR

 7.4. Size:809K  way-on
 wm06n03fe.pdf

WM06N03GE WM06N03GE

WM06N03FE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A GDS DR

 7.5. Size:896K  way-on
 wm06n03he.pdf

WM06N03GE WM06N03GE

WM06N03HE N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top