WM06N03M Todos los transistores

 

WM06N03M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM06N03M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WM06N03M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:824K  way-on
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WM06N03M

WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.1. Size:882K  way-on
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WM06N03M

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.2. Size:889K  way-on
 wm06n03le.pdf pdf_icon

WM06N03M

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.3. Size:462K  way-on
 wm06n03fb.pdf pdf_icon

WM06N03M

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR

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History: AP3N7R2MT | IXTT28N50Q | IPD100N04S4-02 | HM180N02D | BLF647 | AONS66614 | IPP65R225C7

 

 
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