WM06N03M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: WM06N03M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.6 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM06N03M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
WM06N03M даташит
wm06n03m.pdf
WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R
wm06n03ge.pdf
WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R
wm06n03le.pdf
WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R
wm06n03fb.pdf
WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS D D R
Другие MOSFET... WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , AO4407A , WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60






