WM06N30MS Todos los transistores

 

WM06N30MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM06N30MS
   Código: 2310
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.083 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM06N30MS

 

WM06N30MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  way-on
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WM06N30MS N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 3A DS DR

 6.1. Size:854K  way-on
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WM06N30M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 3A DS DR

 9.1. Size:882K  way-on
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WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 9.2. Size:889K  way-on
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WM06N30MS
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WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 9.3. Size:824K  way-on
wm06n03m.pdf

WM06N30MS
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WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 9.4. Size:462K  way-on
wm06n03fb.pdf

WM06N30MS
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WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR

 9.5. Size:809K  way-on
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WM06N30MS
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WM06N03FE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A GDS DR

 9.6. Size:896K  way-on
wm06n03he.pdf

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WM06N03HE N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

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