WM06N30MS - описание и поиск аналогов

 

WM06N30MS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM06N30MS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WM06N30MS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM06N30MS даташит

 ..1. Size:461K  way-on
 wm06n30ms.pdf pdf_icon

WM06N30MS

WM06N30MS N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 3A DS D R

 6.1. Size:854K  way-on
 wm06n30m.pdf pdf_icon

WM06N30MS

WM06N30M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 3A DS D R

 9.1. Size:882K  way-on
 wm06n03ge.pdf pdf_icon

WM06N30MS

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

 9.2. Size:889K  way-on
 wm06n03le.pdf pdf_icon

WM06N30MS

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , IRFP064N , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 .

History: F11F60CPM | AON6418

 

 

 

 

↑ Back to Top
.