Справочник MOSFET. WM06N30MS

 

WM06N30MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM06N30MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.083 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM06N30MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM06N30MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  way-on
 wm06n30ms.pdf pdf_icon

WM06N30MS

WM06N30MS N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 3A DS DR

 6.1. Size:854K  way-on
 wm06n30m.pdf pdf_icon

WM06N30MS

WM06N30M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 3A DS DR

 9.1. Size:882K  way-on
 wm06n03ge.pdf pdf_icon

WM06N30MS

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 9.2. Size:889K  way-on
 wm06n03le.pdf pdf_icon

WM06N30MS

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , 5N50 , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 .

History: BUK438-500A | NP80N04DHE | IRF6674TRPBF | STP7NK30Z | APT10040LVFRG | SML20L100F | VBZMB13N50

 

 
Back to Top

 


 
.