WM06P17MR Todos los transistores

 

WM06P17MR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM06P17MR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de WM06P17MR MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WM06P17MR datasheet

 ..1. Size:538K  way-on
wm06p17mr.pdf pdf_icon

WM06P17MR

WM06P17MR P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -60 V, I = -1.7A DS D R

Otros transistores... WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , AO4468 , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 .

History: BUK553-60B | BLF7G22LS-160 | BUK555-200B | WM06N30M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.