WM06P17MR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WM06P17MR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для WM06P17MR
WM06P17MR Datasheet (PDF)
wm06p17mr.pdf

WM06P17MR P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -60 V, I = -1.7A DS DR
Другие MOSFET... WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , IRFP064N , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 .
History: KF3N40W | 2SK2702 | ZXMN3A03E6 | IRF9956 | WFD1N60 | HM2302A | FMV06N60E
History: KF3N40W | 2SK2702 | ZXMN3A03E6 | IRF9956 | WFD1N60 | HM2302A | FMV06N60E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor