WM06P17MR - аналоги и даташиты транзистора

 

WM06P17MR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WM06P17MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WM06P17MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM06P17MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  way-on
wm06p17mr.pdfpdf_icon

WM06P17MR

WM06P17MR P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -60 V, I = -1.7A DS DR

Другие MOSFET... WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , IRFP064N , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 .

History: KF3N40W | 2SK2702 | ZXMN3A03E6 | IRF9956 | WFD1N60 | HM2302A | FMV06N60E

 

 
Back to Top

 


 
.