WM10N02G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM10N02G
Código: B123
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 1.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.6 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT323
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM10N02G
WM10N02G Datasheet (PDF)
wm10n02g.pdf
Document: W0803094, Rev: B WM10N02G G N-Channel MOSFET Features V = 100V, I = 0.2A DS DR
wm10n02m.pdf
WM10N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 0.2A DS DR
wm10n35m2.pdf
WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR
wm10n20m.pdf
WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR
wm10n33m.pdf
WM10N33M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.3A DS DR
wm10n35m3m.pdf
WM10N35M3M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR
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Liste
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