WM10N02G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM10N02G
   Código: B123
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 5.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3.6 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM10N02G

WM10N02G Datasheet (PDF)

..1. Size:324K way-on
wm10n02g.pdf

Document: W0803094, Rev: B WM10N02G G N-Channel MOSFET Features V = 100V, I = 0.2A DS DR

7.1. Size:458K way-on
wm10n02m.pdf

WM10N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 0.2A DS DR

9.1. Size:546K way-on
wm10n35m2.pdf

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

9.2. Size:480K way-on
wm10n20m.pdf

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR

9.3. Size:855K way-on
wm10n33m.pdf

WM10N33M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.3A DS DR

9.4. Size:557K way-on
wm10n35m3m.pdf

WM10N35M3M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

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Liste

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