WM10N02G - описание и поиск аналогов

 

WM10N02G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WM10N02G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для WM10N02G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM10N02G даташит

 ..1. Size:324K  way-on
 wm10n02g.pdf pdf_icon

WM10N02G

 7.1. Size:458K  way-on
 wm10n02m.pdf pdf_icon

WM10N02G

WM10N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 0.2A DS D R

 9.1. Size:546K  way-on
 wm10n35m2.pdf pdf_icon

WM10N02G

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS D R

 9.2. Size:480K  way-on
 wm10n20m.pdf pdf_icon

WM10N02G

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR , IRF730 , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M , WM10P20M2 , WM15P10M2 , WM4C62160A .

History: TPCA8015-H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.