WM10N02M Todos los transistores

 

WM10N02M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM10N02M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM10N02M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  way-on
 wm10n02m.pdf pdf_icon

WM10N02M

WM10N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 0.2A DS DR

 7.1. Size:324K  way-on
 wm10n02g.pdf pdf_icon

WM10N02M

Document: W0803094, Rev: B WM10N02G G N-Channel MOSFET Features V = 100V, I = 0.2A DS DR

 9.1. Size:546K  way-on
 wm10n35m2.pdf pdf_icon

WM10N02M

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 9.2. Size:480K  way-on
 wm10n20m.pdf pdf_icon

WM10N02M

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR

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History: 2SK815 | UF630G-TN3-R | IRC833A | STD5N52K3 | PE506BA | F5F50VX2

 

 
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