Справочник MOSFET. WM10N02M

 

WM10N02M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM10N02M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM10N02M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  way-on
 wm10n02m.pdf pdf_icon

WM10N02M

WM10N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 0.2A DS DR

 7.1. Size:324K  way-on
 wm10n02g.pdf pdf_icon

WM10N02M

Document: W0803094, Rev: B WM10N02G G N-Channel MOSFET Features V = 100V, I = 0.2A DS DR

 9.1. Size:546K  way-on
 wm10n35m2.pdf pdf_icon

WM10N02M

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 9.2. Size:480K  way-on
 wm10n20m.pdf pdf_icon

WM10N02M

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.