WM10N33M Todos los transistores

 

WM10N33M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM10N33M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM10N33M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:855K  way-on
 wm10n33m.pdf pdf_icon

WM10N33M

WM10N33M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.3A DS DR

 8.1. Size:546K  way-on
 wm10n35m2.pdf pdf_icon

WM10N33M

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 8.2. Size:557K  way-on
 wm10n35m3m.pdf pdf_icon

WM10N33M

WM10N35M3M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 9.1. Size:480K  way-on
 wm10n20m.pdf pdf_icon

WM10N33M

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR

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History: IPD60R385CP | GSM2341 | RRL025P03 | NCE65N290 | IRF5210PBF | BSS123A | WSG02N20

 

 
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