Справочник MOSFET. WM10N33M

 

WM10N33M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM10N33M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WM10N33M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:855K  way-on
 wm10n33m.pdf pdf_icon

WM10N33M

WM10N33M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.3A DS DR

 8.1. Size:546K  way-on
 wm10n35m2.pdf pdf_icon

WM10N33M

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 8.2. Size:557K  way-on
 wm10n35m3m.pdf pdf_icon

WM10N33M

WM10N35M3M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 9.1. Size:480K  way-on
 wm10n20m.pdf pdf_icon

WM10N33M

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2N7057 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV | IRLML9301TRPBF | MDS1525URH | RU7550S | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.