WM10N35M3M Todos los transistores

 

WM10N35M3M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM10N35M3M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de WM10N35M3M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WM10N35M3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:557K  way-on
 wm10n35m3m.pdf pdf_icon

WM10N35M3M

WM10N35M3M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 6.1. Size:546K  way-on
 wm10n35m2.pdf pdf_icon

WM10N35M3M

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 8.1. Size:855K  way-on
 wm10n33m.pdf pdf_icon

WM10N35M3M

WM10N33M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.3A DS DR

 9.1. Size:480K  way-on
 wm10n20m.pdf pdf_icon

WM10N35M3M

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , 20N60 , WM10P20M2 , WM15P10M2 , WM4C62160A , WM6C61042A , WMAA4N65D1B , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , WMO4N65D1B .

History: NT2955G | VBZQA50P03 | IRFU7746PBF | SSW65R190S2 | ALD1116DA | IPP039N04LG | 2N7002KT

 

 
Back to Top

 


 
.