WM10N35M3M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WM10N35M3M
   Código: 1035
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WM10N35M3M

WM10N35M3M Datasheet (PDF)

..1. Size:557K way-on
wm10n35m3m.pdf

WM10N35M3M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

6.1. Size:546K way-on
wm10n35m2.pdf

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

8.1. Size:855K way-on
wm10n33m.pdf

WM10N33M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.3A DS DR

9.1. Size:480K way-on
wm10n20m.pdf

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR

9.2. Size:324K way-on
wm10n02g.pdf

Document: W0803094, Rev: B WM10N02G G N-Channel MOSFET Features V = 100V, I = 0.2A DS DR

9.3. Size:458K way-on
wm10n02m.pdf

WM10N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 0.2A DS DR

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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