Справочник MOSFET. WM10N35M3M

 

WM10N35M3M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WM10N35M3M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для WM10N35M3M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WM10N35M3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:557K  way-on
 wm10n35m3m.pdf pdf_icon

WM10N35M3M

WM10N35M3M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 6.1. Size:546K  way-on
 wm10n35m2.pdf pdf_icon

WM10N35M3M

WM10N35M2 N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.5A DS DR

 8.1. Size:855K  way-on
 wm10n33m.pdf pdf_icon

WM10N35M3M

WM10N33M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 3.3A DS DR

 9.1. Size:480K  way-on
 wm10n20m.pdf pdf_icon

WM10N35M3M

WM10N20M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 100V, I = 2A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , 20N60 , WM10P20M2 , WM15P10M2 , WM4C62160A , WM6C61042A , WMAA4N65D1B , WMK4N65D1B , WML4N65D1B , WMO4N65D1B .

History: CS37N5 | SIR626DP | ME2312 | 2N6660C4A | TK7J90E | PT9926

 

 
Back to Top

 


 
.